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樂(lè)清市輝利電氣有限公司

主營(yíng)產(chǎn)品: 斷路器,接觸器,繼電器,接近開關(guān),光電開關(guān),變頻器,變壓器,低壓電器

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產(chǎn)品圖片 產(chǎn)品名稱
歐姆龍接近開關(guān)E2E-X3D2-N
歐姆龍接近開關(guān)E2E-X3D2-N
簡(jiǎn)單介紹:歐姆龍接近開關(guān)E2E-X3D2-N高頻振蕩器和放大處理電路組成,利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí),使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān),使接近開關(guān)振蕩能力衰減,內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化,由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近,進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。
產(chǎn)品型號(hào):   所在地:溫州市   更新時(shí)間:2018-06-03
參考價(jià):面議 詢價(jià)留言
歐姆龍接近開關(guān)E2E-X3D1-N
歐姆龍接近開關(guān)E2E-X3D1-N
簡(jiǎn)單介紹:歐姆龍接近開關(guān)E2E-X3D1-N高頻振蕩器和放大處理電路組成,利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí),使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān),使接近開關(guān)振蕩能力衰減,內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化,由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近,進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。
產(chǎn)品型號(hào):   所在地:溫州市   更新時(shí)間:2018-06-01
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歐姆龍接近開關(guān)E2E-X10MC1
歐姆龍接近開關(guān)E2E-X10MC1
簡(jiǎn)單介紹:歐姆龍接近開關(guān)E2E-X10MC1高頻振蕩器和放大處理電路組成,利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí),使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān),使接近開關(guān)振蕩能力衰減,內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化,由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近,進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。
產(chǎn)品型號(hào):   所在地:溫州市   更新時(shí)間:2018-06-01
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歐姆龍接近開關(guān)TL-N5MT1
歐姆龍接近開關(guān)TL-N5MT1
簡(jiǎn)單介紹:歐姆龍接近開關(guān)TL-N5MT1高頻振蕩器和放大處理電路組成,利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí),使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān),使接近開關(guān)振蕩能力衰減,內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化,由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近,進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。
產(chǎn)品型號(hào):   所在地:溫州市   更新時(shí)間:2018-06-01
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歐姆龍接近開關(guān)EE-SX473 EE-SPY401
歐姆龍接近開關(guān)EE-SX473 EE-SPY401
簡(jiǎn)單介紹:歐姆龍接近開關(guān)EE-SX473 EE-SPY401高頻振蕩器和放大處理電路組成,利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí),使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān),使接近開關(guān)振蕩能力衰減,內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化,由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近,進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。
產(chǎn)品型號(hào):   所在地:溫州市   更新時(shí)間:2018-05-31
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歐姆龍接近開關(guān)E2E-X7D1-N
歐姆龍接近開關(guān)E2E-X7D1-N
簡(jiǎn)單介紹:歐姆龍接近開關(guān)E2E-X7D1-N高頻振蕩器和放大處理電路組成,利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí),使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān),使接近開關(guān)振蕩能力衰減,內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化,由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近,進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。
產(chǎn)品型號(hào):   所在地:溫州市   更新時(shí)間:2018-05-31
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歐姆龍接近開關(guān)E3JK-R2M1 E3JK-R2M2
歐姆龍接近開關(guān)E3JK-R2M1 E3JK-R2M2
簡(jiǎn)單介紹:歐姆龍接近開關(guān)E3JK-R2M1 E3JK-R2M2高頻振蕩器和放大處理電路組成,利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí),使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān),使接近開關(guān)振蕩能力衰減,內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化,由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近,進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。
產(chǎn)品型號(hào):   所在地:溫州市   更新時(shí)間:2018-05-30
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歐姆龍接近開關(guān)EE-SPX303 EE-SPX403
歐姆龍接近開關(guān)EE-SPX303 EE-SPX403
簡(jiǎn)單介紹:歐姆龍接近開關(guān)EE-SPX303 EE-SPX403高頻振蕩器和放大處理電路組成,利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí),使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān),使接近開關(guān)振蕩能力衰減,內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化,由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近,進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。
產(chǎn)品型號(hào):   所在地:溫州市   更新時(shí)間:2018-05-29
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歐姆龍接近開關(guān)E2E-X5MF1
歐姆龍接近開關(guān)E2E-X5MF1
簡(jiǎn)單介紹:歐姆龍接近開關(guān)E2E-X5MF1高頻振蕩器和放大處理電路組成,利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí),使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān),使接近開關(guān)振蕩能力衰減,內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化,由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近,進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。
產(chǎn)品型號(hào):   所在地:溫州市   更新時(shí)間:2018-05-28
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歐姆龍接近開關(guān)E3JK-TR12-C E3JK-5M1
歐姆龍接近開關(guān)E3JK-TR12-C E3JK-5M1
簡(jiǎn)單介紹:歐姆龍接近開關(guān)E3JK-TR12-C E3JK-5M1高頻振蕩器和放大處理電路組成,利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí),使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān),使接近開關(guān)振蕩能力衰減,內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化,由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近,進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。
產(chǎn)品型號(hào):   所在地:溫州市   更新時(shí)間:2018-05-27
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歐姆龍接近開關(guān)EE-SX471 EE-SX472
歐姆龍接近開關(guān)EE-SX471 EE-SX472
簡(jiǎn)單介紹:歐姆龍接近開關(guān)EE-SX471 EE-SX472高頻振蕩器和放大處理電路組成,利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí),使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān),使接近開關(guān)振蕩能力衰減,內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化,由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近,進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。
產(chǎn)品型號(hào):   所在地:溫州市   更新時(shí)間:2018-05-27
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歐姆龍接近開關(guān)E2E-X14MD1
歐姆龍接近開關(guān)E2E-X14MD1
簡(jiǎn)單介紹:歐姆龍接近開關(guān)E2E-X14MD1高頻振蕩器和放大處理電路組成,利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí),使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān),使接近開關(guān)振蕩能力衰減,內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化,由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近,進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。
產(chǎn)品型號(hào):   所在地:溫州市   更新時(shí)間:2018-05-26
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歐姆龍接近開關(guān)TL-N10ME1
歐姆龍接近開關(guān)TL-N10ME1
簡(jiǎn)單介紹:歐姆龍接近開關(guān)TL-N10ME1高頻振蕩器和放大處理電路組成,利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí),使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān),使接近開關(guān)振蕩能力衰減,內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化,由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近,進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。
產(chǎn)品型號(hào):   所在地:溫州市   更新時(shí)間:2018-05-25
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歐姆龍接近開關(guān)E3Z-LS61 E3S-2E4
歐姆龍接近開關(guān)E3Z-LS61 E3S-2E4
簡(jiǎn)單介紹:歐姆龍接近開關(guān)E3Z-LS61 E3S-2E4高頻振蕩器和放大處理電路組成,利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí),使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān),使接近開關(guān)振蕩能力衰減,內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化,由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近,進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。
產(chǎn)品型號(hào):   所在地:溫州市   更新時(shí)間:2018-05-25
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歐姆龍接近開關(guān)EE-SX670A
歐姆龍接近開關(guān)EE-SX670A
簡(jiǎn)單介紹:歐姆龍接近開關(guān)EE-SX670A高頻振蕩器和放大處理電路組成,利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí),使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān),使接近開關(guān)振蕩能力衰減,內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化,由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近,進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。
產(chǎn)品型號(hào):   所在地:溫州市   更新時(shí)間:2018-05-17
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歐姆龍接近開關(guān)E2E-X8MD1
歐姆龍接近開關(guān)E2E-X8MD1
簡(jiǎn)單介紹:歐姆龍接近開關(guān)E2E-X8MD1高頻振蕩器和放大處理電路組成,利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí),使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān),使接近開關(guān)振蕩能力衰減,內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化,由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近,進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。
產(chǎn)品型號(hào):   所在地:溫州市   更新時(shí)間:2018-05-17
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歐姆龍接近開關(guān)E3Z-D81 E3Z-D82
歐姆龍接近開關(guān)E3Z-D81 E3Z-D82
簡(jiǎn)單介紹:歐姆龍接近開關(guān)E3Z-D81 E3Z-D82高頻振蕩器和放大處理電路組成,利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí),使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān),使接近開關(guān)振蕩能力衰減,內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化,由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近,進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。
產(chǎn)品型號(hào):   所在地:溫州市   更新時(shí)間:2018-05-10
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歐姆龍接近開關(guān)E2E-X5E1-Z
歐姆龍接近開關(guān)E2E-X5E1-Z
簡(jiǎn)單介紹:歐姆龍接近開關(guān)E2E-X5E1-Z 高頻振蕩器和放大處理電路組成,利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí),使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān),使接近開關(guān)振蕩能力衰減,內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化,由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近,進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。
產(chǎn)品型號(hào):   所在地:溫州市   更新時(shí)間:2018-05-09
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歐姆龍接近開關(guān)TL-N10MY1
歐姆龍接近開關(guān)TL-N10MY1
簡(jiǎn)單介紹:歐姆龍接近開關(guān)TL-N10MY1高頻振蕩器和放大處理電路組成,利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí),使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān),使接近開關(guān)振蕩能力衰減,內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化,由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近,進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。
產(chǎn)品型號(hào):   所在地:溫州市   更新時(shí)間:2018-05-07
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歐姆龍接近開關(guān)EE-SY671 EE-SY672
歐姆龍接近開關(guān)EE-SY671 EE-SY672
簡(jiǎn)單介紹:歐姆龍接近開關(guān)EE-SY671 EE-SY672高頻振蕩器和放大處理電路組成,利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí),使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān),使接近開關(guān)振蕩能力衰減,內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化,由此識(shí)別出有無(wú)金屬物體接近,進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。
產(chǎn)品型號(hào):   所在地:溫州市   更新時(shí)間:2018-05-07
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